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（b、院印于深互c）WS(Se)2/PbI2异质结与WS(Se)2的光致发光光谱对比。这表明超薄PbI2可以通过界面能带工程，发关发展与其他二维材料构筑不同类型的异质结，发关发展从而可以极大地拓宽了功能型材料的选择范围，促进新型微纳光电器件研发与应用进程。

通过界面间的能级匹配，化制PbI2纳米片为我们构筑功能性异质结提供了更大的自由度，从而促进微纳器件的研发与应用进程。然而目前半导体二维材料种类不多，造业通过界面能带工程灵活调控二维材料的光电性质仍是一项艰难的挑战。理论与实验分析证明，联网MoS2与PbI2之间的能级排列属于跨立型（Type-I）半导体异质结，联网即PbI2中的激发态能量向MoS2层传递，使MoS2发光增强，而WS2和WSe2分别与PbI2之间形成了错开型（Type-II）半导体异质结，即WS(Se)2中的电子流向PbI2层，电子-空穴对密度减少，引起发光淬灭。

融合（f）290K温度下不同厚度PbI2纳米片的光致发光光谱。指导意图二MoS2/PbI2异质结的制备与光学性质（a）干法转移制备MoS2/PbI2的示意图（b）MoS2/PbI2异质结的晶体结构（c）MoS2/PbI2异质结与单层MoS2的拉曼光谱对比。

（d、国务e）WSe2/PbI2异质结的光学图片以及对应的光致发光扫描图像（左图）。

【引言】日渐丰富的材料种类与可构筑范德华异质结的特点，院印于深互为二维材料在功能化微纳器件领域的应用奠定基础欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，发关发展投稿邮箱:[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenVIP.。

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